摩尔定律为何“卡”在 5nm 之后？Nano/Fork sheet/CFET process flow
于是，行业开始“纵向”与“横向”同时创新：纵向：减少每颗晶体管占用的 Track Height，从 6T 降到 5T，甚至 4T。横向：把 NMOS 与 PMOS 塞得更近，缩小 N-P 间距。背部供电：把粗大的电源线“埋”进硅片内部，腾出布线空间。这些新架构
nano fork 摩尔定律 for processflow 2025-10-03 17:24 4
于是，行业开始“纵向”与“横向”同时创新：纵向：减少每颗晶体管占用的 Track Height，从 6T 降到 5T，甚至 4T。横向：把 NMOS 与 PMOS 塞得更近，缩小 N-P 间距。背部供电：把粗大的电源线“埋”进硅片内部，腾出布线空间。这些新架构
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